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Lexsyg釋光探測器||在材料表征科研領域應用分享新型摻銀晶體問世！中子檢測靈敏度提升，輻射劑量測定進入新紀元探索Ag摻雜Li?B?O?單晶：OSL特性與中子探測敏感度在核電站泄漏監(jiān)測、病癥放療劑量校準等場景中，中子檢測的精確度直接關系生命安全。傳統(tǒng)熱釋光材料因熱淬滅效應導致信號失真，這一困局終被打破——印度Bhabha原子研究中心新研發(fā)的摻銀四硼酸鋰（LTB:Ag）單晶，結合德國FreibergInstruments的lexsygTL/OSL智能系統(tǒng)，實現(xiàn)了中子檢測靈敏度...

應用分享|X射線衍射分析在文物保護與研究中的應用湖南省博物院藺朝穎X射線衍射分析作為材料物相分析的方法之一，可快速地檢測出文物或文物樣品中的物相成分，檢測結果可為文物保護修復、文物研究提供科學的數(shù)據(jù)支撐。同時，由于X射線衍射分析所需樣品量非常少，對文物破壞非常小，因而使得X射線衍射分析技術在文物保護修復方面得到廣泛應用。一、青銅器表面銹蝕物分析青銅器在埋葬過程中受環(huán)境影響會在其表層形成大量銹蝕物，從青銅器保護角度分類可分為有害銹與無害銹。有害銹成分主要為含氯化合物，包括氯化亞...

隨著輻照技術在食品保鮮、殺菌中的廣泛應用，如何精準鑒別輻照食品成為行業(yè)焦點。近期，多項國際研究基于熱釋光（Thermoluminescence,TL）技術取得重要進展，成功實現(xiàn)對可可豆、辣椒等食品的輻照劑量檢測，甚至可追溯至輻照后4年的樣本。lexsygTL/OSL儀器作為核心設備，為研究提供了高精度、高穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)支持。一、熱釋光技術原理：礦物“記憶”解鎖輻照密碼食品表面附著的硅酸鹽礦物（如石英、長石）在輻照中會捕獲能量，加熱時以光的形式釋放，形成特征性熱釋光曲線。通過對比...

在新型半導體器件（如量子阱、納米結構器件等）研究中，少子壽命測試儀發(fā)揮著關鍵的作用。以下是對其作用的綜合分析：1、材料特性評估：少數(shù)載流子壽命是衡量半導體材料質量的重要指標之一。在新型半導體器件研究中，測試儀能夠精確測量材料的少子壽命，從而評估材料的純度、晶體結構和缺陷密度等特性。對于量子阱、納米結構器件等新型器件而言，材料的高質量是實現(xiàn)優(yōu)異性能的基礎，因此測試儀在材料篩選和優(yōu)化過程中發(fā)揮著至關重要的作用。2、器件性能預測：通過測量少子壽命，可以間接了解半導體器件中的載流子復...

lexsyg釋光探測器|在材料表征科研領域應用分享突破性研究：Ce摻雜石榴石材料發(fā)光機制解決——Lexsyg光譜儀助力克萊姆森大學揭示固態(tài)電解質新特性文章來源：https://doi.org/10.1016/j.optmat.2016.09.058研究背景美國克萊姆森大學團隊取得重要突破。他們通過Ce摻雜實驗，系統(tǒng)研究了鋰離子電池關鍵材料——石榴石型Li7La3Zr2O12（LLZO）的發(fā)光特性，揭示了稀土離子在復雜晶格中的占據(jù)規(guī)律與溫度響應機制。Lexsygresearch...

lexsyg釋光探測器|在材料表征科研領域應用分享新型富硼酸硼硅酸鹽玻璃發(fā)光性能突破：Ce3?發(fā)光機制與Lexsyg儀器的關鍵作用文章來源：https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2017.06.022在核輻射探測領域，高性能閃爍體材料的需求日益增長。近期，Clemson大學材料科學與工程團隊在《JournalofNon-CrystallineSolids》發(fā)表了一項重要研究，系統(tǒng)的探索了高硼含量（B?O?:SiO?=4.83:1至8.75:...

根據(jù)微區(qū)分析能力和數(shù)據(jù)處理方式的不同，二次離子質譜儀可分為以下幾種類型：1、非成像型離子探針特點：主要用于對側向均勻分布樣品的縱向剖析或對樣品最外表面層進行特殊研究。應用場景：適用于對樣品特定區(qū)域的元素組成和結構進行分析，例如對材料某一深度處的元素分布情況進行檢測。2、掃描成像型離子探針特點：利用束斑直徑小于10μm的一次離子束在樣品表面作電視形式的光柵掃描，實現(xiàn)成像和元素分析。應用場景：能夠獲取樣品表面的元素分布圖像，對于研究樣品表面元素的均勻性和分布規(guī)律具有重要意義，常用...

傅里葉變換核磁共振(NMR)儀是一種精密的科學儀器，廣泛用于化學、生物醫(yī)學和材料科學等領域。為了確保其長期穩(wěn)定性和準確性，必須進行細致的養(yǎng)護。以下是傅里葉變換核磁共振儀的養(yǎng)護細節(jié)：一、環(huán)境控制1.溫度與濕度傅里葉變換核磁共振儀應安裝在溫度穩(wěn)定的環(huán)境中，理想溫度范圍為18-25℃。避免儀器暴露在溫度劇烈變化的環(huán)境中，以防止內部元件受損。濕度控制在40%-60%為宜。過高的濕度可能導致電子元件受潮短路，而過低的濕度可能引發(fā)靜電干擾。2.無塵環(huán)境NMR儀應放置在無塵環(huán)境中，避免灰塵...